BTS (问题跟踪系统)

晶圆尺寸：1、8寸200mm晶圆；2、12寸300mm晶圆；
Wafer类型：Si基Wafer，大部分为无图形区，会有少量mark标记用于键合对准；
检测需求：检测无图形晶圆上颗粒，针对Mark标记位置进行排除(不检测)；
检测范围：0.1-5um尺寸PSL颗粒(以PSL小球为检测标准)
尺寸准确性：PSL颗粒20%以内
定位精度：≤40um，15um定位重复性
缺陷类型：表面颗粒
物镜：5X、10X、50X

Mask尺寸：4寸（4009）、5寸（5009）、6寸（6009、6012、6025）、7寸（7009、7012、7015）、9寸（9012，图形有效区域＜8寸）；厚度范围：支持0.09英寸、0.12英寸、0.25英寸三种规格；
Mask图形线宽测量；
测量项：圆形（测量圆的直径、圆度）；矩形（测量矩形边长）；线条（线条、线缝测量；水平、垂直线测量；斜线测量）
物镜：5X、20X、50X、150X

标准晶圆产品：6寸晶圆片、6寸铁环（小尺寸方片在蓝膜上阵列式排布）
Wafer类型：光刻后图形片，手动上下片（可升级自动）；
有图形晶圆片2D缺陷检测；
CD量测功能:CD及套刻测量；自动测量Wafer 是指定点的线宽及套刻精度，测量点数根据程式定义;
物镜：5X、10X、50X

晶圆尺寸：2、3、4、6寸；
Wafer类型：光刻后图形片，手动上下片；
有图形圆片2D缺陷检测；CD及套刻测量；
自动测量Wafer 是指定点的线宽及套刻精度，测量点数根据程式定义。

Mask尺寸：6寸（6009、6012、6025）、7寸（7009、7012、7015）、9寸（9012，图形有效区域＜8寸）；厚度范围：支持0.09英寸、0.12英寸、0.25英寸三种规格；
Mask图形线宽测量；
测量项：圆形（测量圆的直径、圆度）；矩形（测量矩形边长）；线条（线条、线缝测量；水平、垂直线测量；斜线测量）
物镜：5X、20X、50X

检测对象：1、陶瓷（尺寸40~80 mm，厚度3~7 mm）；2、晶圆(双面测试，6寸和8寸晶圆)；3、带铁环的6寸和8寸晶圆
Wafer类型：光刻后图形片，手动上下片；
表面缺陷检测、表面划痕检测；
物镜：2X、5X、10X、20X

晶圆尺寸：2、4、6寸；
Wafer类型：光刻后图形片，2寸手动上下片，4、6寸自动上下片；
有图形圆片2D缺陷检测；
CD量测功能:CD及套刻测量；自动测量Wafer 是指定点的线宽及套刻精度，测量点数根据程式定义;
物镜：5X、10X、20X、50X

掩模尺寸：1、支持6025基板类型；2、Cr面朝上检测；（多层smif，自动上下板，6寸产能≤630秒/片；小Z+压电，20x物镜，ATF控压电）
检测模式：
1、抛光板
检测项：表面颗粒、划痕，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（反射明场）
2、铬板
检测项：表面颗粒、划痕、针孔，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（透、反射）

掩模尺寸：1、支持6025类型；2、Cr面朝上检测；（多层smif，自动上下板，6寸产能≤630秒/片；小Z+LLC，10x、50x物镜，ATF控小Z）
检测模式：匀胶铬板
检测项：表面颗粒、划痕
检测光源：532nm 激光光源（反射暗场）

掩模尺寸：1、支持6025基板类型；2、Cr面朝上检测；（多层smif，自动上下板，6寸产能≤630秒/片；小Z+压电，20x物镜，ATF控压电）
检测模式：
1、抛光板
检测项：表面颗粒、划痕，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（反射明场）
2、铬板
检测项：表面颗粒、划痕、针孔，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（透、反射）

掩模尺寸：1、支持6025类型；2、Cr面朝上检测；（多层smif，自动上下板，6寸产能≤630秒/片；小Z+LLC，10x、50x物镜，ATF控小Z）
检测模式：匀胶铬板
检测项：表面颗粒、划痕
检测光源：532nm 激光光源（反射暗场）

掩模尺寸：1、支持6025基板类型；2、Cr面朝上检测；（多层smif，自动上下板，6寸产能≤630秒/片；小Z+压电，20x物镜，ATF控压电）
检测模式：
1、抛光板
检测项：表面颗粒、划痕，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（反射明场）
2、铬板
检测项：表面颗粒、划痕、针孔，脏污（平坦异物亦可捕获）
检测光源：375nm 激光光源（透、反射）